Fairchild Semiconductor AEC-Q101 IGBT N-csatornás, 46 A, 390 V, 3-tüskés Felület, TO-263

Részösszeg (1 tekercs / 800 egység)*

526 960 Ft

(ÁFA nélkül)

669 280 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. július 12. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
orsónként*
800 +658,70 Ft526 960 Ft

*irányár

RS raktári szám:
166-2051
Gyártó cikkszáma:
ISL9V5036S3ST
Gyártó:
Fairchild Semiconductor
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Fairchild Semiconductor

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

46A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

390V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

250W

Csomag típusa

TO-263

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.6V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±10 V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

RoHS Compliant

Sorozat

EcoSPARK

Járműipari szabvány

AEC-Q101

Energiabesorolás

500mJ

Diszkrét IGBT-k Fairchild Semiconductor


IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.