Fairchild Semiconductor AEC-Q101 IGBT N típus-csatornás, 46 A, 390 V, 3-tüskés Felület, TO-263

Részösszeg (1 tekercs / 800 egység)*

658 720 Ft

(ÁFA nélkül)

836 560 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • 800 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
orsónként*
800 +823,40 Ft658 720 Ft

*irányár

RS raktári szám:
166-2051
Gyártó cikkszáma:
ISL9V5036S3ST
Gyártó:
Fairchild Semiconductor
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Fairchild Semiconductor

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

46A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

390V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

250W

Csomag típusa

TO-263

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.6V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±10 V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

EcoSPARK

Szabványok/jóváhagyások

RoHS Compliant

Energiabesorolás

500mJ

Járműipari szabvány

AEC-Q101

Diszkrét IGBT-k Fairchild Semiconductor


IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.