Fairchild Semiconductor AEC-Q101 ISL9V3040P3 IGBT N típus-csatornás, 21 A, 430 V, 15 μs, 3-tüskés Furatszerelt, JEDEC

Minden IGBT-k megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel lesz-e újra készleten, mivel a gyártó megszünteti.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
862-9359
Gyártó cikkszáma:
ISL9V3040P3
Gyártó:
Fairchild Semiconductor
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Fairchild Semiconductor

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

21A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

430V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

150W

Csomag típusa

JEDEC TO-220AB

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

15μs

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±10 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.6V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

EcoSPARK

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Energiabesorolás

300mJ

Járműipari szabvány

AEC-Q101

Diszkrét IGBT-k Fairchild Semiconductor


IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.