IXYS IXXH80N65B4H1 IGBT N-csatornás, 430 A, 650 V, 5 → 30kHz, 3-tüskés, TO-247AD 1 Egyszeres

A készletinformáció jelenleg nem elérhető
RS raktári szám:
168-4585
Gyártó cikkszáma:
IXXH80N65B4H1
Gyártó:
IXYS
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

IXYS

Maximális folyamatos kollektoráram

430 A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség

650 V

Maximális kapu kibocsátó feszültség

±20V

Tranzisztorok száma

1

Maximális teljesítménydisszipáció

625 W

Csomag típusa

TO-247AD

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Kapcsolási sebesség

5 → 30kHz

Tranzisztorkonfiguráció

Egyszeres

Méret

16.1 x 5.2 x 21.3mm

Min. működési hőmérséklet

-55 °C

Maximális működési hőmérséklet

+175 °C

Energiabesorolás

5.2mJ

Származási ország (Country of Origin):
PH

IGBT diszkrét, IXYS


IGBT diszkrét és modulok, IXYS


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.