IXYS IXXH80N65B4H1 IGBT N-csatornás, 430 A, 650 V, 30 kHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247AD

Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
RS raktári szám:
125-8049
Distrelec cikkszám:
302-53-437
Gyártó cikkszáma:
IXXH80N65B4H1
Gyártó:
IXYS
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

IXYS

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

430A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

625W

Csomag típusa

TO-247AD

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

30kHz

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.1V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

Trench

Szabványok/jóváhagyások

No

Energiabesorolás

5.2mJ

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
PH

IGBT diszkrét, IXYS


IGBT diszkrét és modulok, IXYS


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.