STMicroelectronics IGBT N-csatornás, 200 A, 600 V, 4-tüskés Bilincs, ISOTOP
- RS raktári szám:
- 168-6463
- Gyártó cikkszáma:
- STGE200NB60S
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (10 egység, 10 kiszerelésű tubusban)*
87 326 Ft
(ÁFA nélkül)
110 904 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 570 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | csövenként* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 8 732,60 Ft | 87 326 Ft |
| 100 + | 8 625 Ft | 86 250 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 168-6463
- Gyártó cikkszáma:
- STGE200NB60S
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 200A | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 600V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 600W | |
| Csomag típusa | ISOTOP | |
| Rögzítés típusa | Bilincs | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 4 | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±20 V | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 1.6V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Sorozat | Powermesh | |
| Szélesség | 31.7mm | |
| Hossz | 38.2mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | ECOPACK, JESD97 | |
| Magasság | 12.2mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 200A | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 600W | ||
Csomag típusa ISOTOP | ||
Rögzítés típusa Bilincs | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 4 | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 1.6V | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Sorozat Powermesh | ||
Szélesség 31.7mm | ||
Hossz 38.2mm | ||
Szabványok/jóváhagyások ECOPACK, JESD97 | ||
Magasság 12.2mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
IGBT diszkrét, STMicroelectronics
IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Kapcsolódó linkek
- STMicroelectronics STGE200NB60S IGBT N-csatornás 600 V ISOTOP
- STMicroelectronics IGBT 5 μs, 3-tüskés
- STMicroelectronics IGBT 600 V, 26-tüskés Furatszerelt
- STMicroelectronics IGBT 650 V TO-247
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 375 V 3-tüskés Felület, TO-263
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 1200 V 3-tüskés Felület, TO-252
- STMicroelectronics IGBT 1200 V, 3-tüskés Furatszerelt
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 650 V 4-tüskés Furatszerelt, TO-247