STMicroelectronics IGBT N-csatornás, 10 A, 375 V, 8 μs, 3-tüskés Felület, TO-263

Minden IGBT-k megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
RS raktári szám:
168-6461
Gyártó cikkszáma:
STGB10NB37LZT4
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

10A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

375V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

125W

Csomag típusa

TO-263

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

8μs

Min. működési hőmérséklet

-65°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.8V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

12 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Hossz

28.9mm

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Szélesség

10.4mm

Magasság

4.6mm

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
MY

IGBT diszkrét, STMicroelectronics


IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.