STMicroelectronics IGBT N-csatornás, 20 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Felület, TO-263

Minden IGBT-k megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
RS raktári szám:
168-7156
Gyártó cikkszáma:
STGB10NC60HDT4
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

20A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

65W

Csomag típusa

TO-263

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

1MHz

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.5V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Magasság

4.6mm

Szélesség

9.35mm

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Hossz

10.4mm

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
CN

IGBT diszkrét, STMicroelectronics


IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.