STMicroelectronics IGBT N-csatornás, 50 A, 650 V, 1 MHz, 3-tüskés Felület, TO-263
- RS raktári szám:
- 204-9867
- Gyártó cikkszáma:
- STGB30H65DFB2
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Részösszeg (1 tekercs / 1000 egység)*
449 600 Ft
(ÁFA nélkül)
571 000 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. február 01. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | orsónként* |
|---|---|---|
| 1000 + | 449,60 Ft | 449 600 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 204-9867
- Gyártó cikkszáma:
- STGB30H65DFB2
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 50A | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 650V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 167W | |
| Csomag típusa | TO-263 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Kapcsolási típus | 1MHz | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 2.1V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | 20 V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Sorozat | Trench Gate Field Stop | |
| Szélesség | 9.35mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Magasság | 4.6mm | |
| Hossz | 10.4mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 50A | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 650V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 167W | ||
Csomag típusa TO-263 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Kapcsolási típus 1MHz | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.1V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 20 V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Sorozat Trench Gate Field Stop | ||
Szélesség 9.35mm | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Magasság 4.6mm | ||
Hossz 10.4mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
A STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 sorozat a Advanced szabadalmaztatott Trench gate Field-stop szerkezet fejlődését képviseli. A HB2 sorozat teljesítményét a vezetés szempontjából optimalizáltuk, köszönhetően a jobb VCE(SAT) viselkedésnek alacsony áramértékek mellett, valamint a csökkentett kapcsolási energia tekintetében.
Maximális csatlakozási hőmérséklet: TJ = 175 °C
Alacsony VCE(SAT) = 1.65 V (jell.) @ IC = 30 A
Nagyon gyors és lágy helyreállítás, együtt csomagolt dióda
Minimális farokáram
Szűk paraméterelosztás
Kapcsolódó linkek
- STMicroelectronics STGB30H65DFB2 IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Felület, TO-263
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-220FP
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247