STMicroelectronics IGBT N-csatornás, 40 A, 650 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-220FP

Minden IGBT-k megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
RS raktári szám:
204-9871
Gyártó cikkszáma:
STGF20H65DFB2
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

40A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

45W

Csomag típusa

TO-220FP

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

1MHz

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.1V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Sorozat

STG

Magasság

4.6mm

Hossz

10.4mm

Szélesség

16.4mm

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
CN
A STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 sorozat a Advanced szabadalmaztatott Trench gate Field-stop szerkezet fejlődését képviseli. A HB2 sorozat teljesítményét a vezetés szempontjából optimalizáltuk, köszönhetően a jobb VCE(SAT) viselkedésnek alacsony áramértékek mellett, valamint a csökkentett kapcsolási energia tekintetében.

Maximális csatlakozási hőmérséklet: TJ = 175 °C

Alacsony VCE(SAT) = 1.65 V (jell.) @ IC = 20 A

Nagyon gyors és lágy helyreállítás, együtt csomagolt dióda

Minimális farokáram

Szűk paraméterelosztás

Alacsony hővezetési ellenállás

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.