STMicroelectronics IGBT N típus-csatornás, 115 A, 650 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 cső / 30 egység)*

35 280 Ft

(ÁFA nélkül)

44 820 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2026. december 24. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csövenként*
30 - 1201 176 Ft35 280 Ft
150 - 2701 161,50 Ft34 845 Ft
300 +1 147,40 Ft34 422 Ft

*irányár

RS raktári szám:
206-7211
Gyártó cikkszáma:
STGWA75H65DFB2
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

115A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

357W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

1MHz

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Hossz

15.9mm

Magasság

5.1mm

Sorozat

STG

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Járműipari szabvány

Nem

A STMicroelectronics Trench Gate Field-stop, 650 V, 75 A, nagy sebességű HB2 sorozatú IGBT EGY TO-247 hosszú LEADS csomagban.

Maximális csatlakozási hőmérséklet: TJ = 175 °C

Alacsony VCE(SAT) = 1.55 V (jell.) @ IC = 75 A

Nagyon gyors és lágy helyreállítás, együtt csomagolt dióda

Minimális farokáram

Szűk paraméterelosztás

Alacsony hővezetési ellenállás

Pozitív VCE(SAT) hőmérsékleti együttható

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.