STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 IGBT N-csatornás, 115 A, 650 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 2 egység)*

3698 Ft

(ÁFA nélkül)

4696 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • 4 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csomagonként*
2 - 181 849 Ft3 698 Ft
20 - 981 789 Ft3 578 Ft
100 - 1981 732,50 Ft3 465 Ft
200 +1 500 Ft3 000 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
206-7212
Gyártó cikkszáma:
STGWA75H65DFB2
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

115A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

357W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

1MHz

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Hossz

15.9mm

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Magasság

5.1mm

Sorozat

STG

Szélesség

21.1mm

Járműipari szabvány

Nem

A STMicroelectronics Trench Gate Field-stop, 650 V, 75 A, nagy sebességű HB2 sorozatú IGBT EGY TO-247 hosszú LEADS csomagban.

Maximális csatlakozási hőmérséklet: TJ = 175 °C

Alacsony VCE(SAT) = 1.55 V (jell.) @ IC = 75 A

Nagyon gyors és lágy helyreállítás, együtt csomagolt dióda

Minimális farokáram

Szűk paraméterelosztás

Alacsony hővezetési ellenállás

Pozitív VCE(SAT) hőmérsékleti együttható

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.