Infineon IGBT egytranzisztoros IC N típus-csatornás, 30 A, 650 V, 3-tüskés Felület, TO-263

Részösszeg (1 tekercs / 1000 egység)*

454 400 Ft

(ÁFA nélkül)

577 100 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2026. december 31. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
orsónként*
1000 +454,40 Ft454 400 Ft

*irányár

RS raktári szám:
215-6647
Gyártó cikkszáma:
IKB15N65EH5ATMA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

30A

Terméktípus

IGBT egytranzisztoros IC

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

105W

Csomag típusa

TO-263

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.65V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±30 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

JEDEC47/20/22

Sorozat

High Speed Fifth Generation

Járműipari szabvány

Nem

A Infineon nagy sebességű kapcsoló szigetelt kapus bipoláris tranzisztor rézsű teljes névleges áram Rapid 1 párhuzamos dióda is 650V bontás feszültség.

Nagy hatékonyság

Alacsony kapcsolási veszteségek

Nagyobb megbízhatóság

Alacsony elektromágneses interferencia

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.