Infineon IKB40N65ES5ATMA1 IGBT egytranzisztoros IC N-csatornás, 79 A, 650 V, 3-tüskés Felület, TO-263

Minden IGBT-k megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Sajnáljuk, nem tudjuk, mikor lesz újra készleten.
RS raktári szám:
215-6654
Gyártó cikkszáma:
IKB40N65ES5ATMA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

IGBT egytranzisztoros IC

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

79A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

230W

Csomag típusa

TO-263

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±30 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.35V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Sorozat

High Speed Fifth Generation

Járműipari szabvány

Nem

A Infineon nagy sebességű kapcsolási sorozat ötödik generációs szigetelt kapus bipoláris tranzisztor.

Nagy hatékonyság

Alacsony kapcsolási veszteségek

Nagyobb megbízhatóság

Alacsony elektromágneses interferencia

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.