Infineon IKB40N65ES5ATMA1 IGBT egytranzisztoros IC N-csatornás, 79 A, 650 V, 3-tüskés Felület, TO-263

Minden IGBT-k megtekintése
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 2 egység)*

3491 Ft

(ÁFA nélkül)

4434 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • 4254 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csomagonként*
2 - 181 745,50 Ft3 491 Ft
20 - 481 485 Ft2 970 Ft
50 - 981 397 Ft2 794 Ft
100 - 1981 294 Ft2 588 Ft
200 +1 204 Ft2 408 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
215-6655
Gyártó cikkszáma:
IKB40N65ES5ATMA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

79A

Terméktípus

IGBT egytranzisztoros IC

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

230W

Csomag típusa

TO-263

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±30 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.35V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

High Speed Fifth Generation

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Járműipari szabvány

Nem

A Infineon nagy sebességű kapcsolási sorozat ötödik generációs szigetelt kapus bipoláris tranzisztor.

Nagy hatékonyság

Alacsony kapcsolási veszteségek

Nagyobb megbízhatóság

Alacsony elektromágneses interferencia

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.