Infineon IGBT-modul, 4.7 A, TO-263
- RS raktári szám:
- 258-3756
- Gyártó cikkszáma:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Gyártó:
- Infineon
Részösszeg (1 tekercs / 1000 egység)*
745 600 Ft
(ÁFA nélkül)
946 900 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. március 01. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | orsónként* |
|---|---|---|
| 1000 + | 745,60 Ft | 745 600 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 258-3756
- Gyártó cikkszáma:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Gyártó:
- Infineon
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Infineon | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 4.7A | |
| Terméktípus | IGBT-modul | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 65W | |
| Csomag típusa | TO-263 | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | JEDEC47/20/22 | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Infineon | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 4.7A | ||
Terméktípus IGBT-modul | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 65W | ||
Csomag típusa TO-263 | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások JEDEC47/20/22 | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
Az Infineon CoolSiC1200 V-os, 350 mΩ-os SiC MOSFET D2PAK-7L csomagolásban egy korszerű furatú félvezető folyamatra épül, amely optimalizálva ötvözi a teljesítményt a működés megbízhatóságával. A CoolSiC technológia alacsony teljesítményvesztesége az XT összekapcsolási technológiával kombinálva az új, 1200 V-os, optimalizált SMD csomagolásban lehetővé teszi a legmagasabb hatékonyságot és passzív hűtési potenciált olyan alkalmazásokban, mint a meghajtók, töltők és ipari tápegységek.
Nagyon alacsony kapcsolási veszteségek
Rövidzárlat ellenállási idő: 3 μs
Teljesen szabályozható dV/dt
Hatékonyság növelése
Magasabb frekvenciák engedélyezése
Nagyobb teljesítménysűrűség