Semikron Danfoss SKM200GB125D IGBT-modul N-csatornás, 200 A, 1200 V, 3-tüskés Panel, SEMITRANS 2

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

136 763 Ft

(ÁFA nélkül)

173 689 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Utolsó RS készlet
  • 54 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
  • Utolsó 1 egység szállítása 2026. szeptember 29. dátumtól

Egység
Egységenként
1 - 1136 763 Ft
2 - 4129 930 Ft
5 - 9125 408 Ft
10 - 19120 761 Ft
20 +114 750 Ft

*irányár

RS raktári szám:
468-2454
Gyártó cikkszáma:
SKM200GB125D
Gyártó:
Semikron Danfoss
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Semikron Danfoss

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

200A

Terméktípus

IGBT-modul

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Tranzisztorok száma

2

Csomag típusa

SEMITRANS

Rögzítés típusa

Panel

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

3.85V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Magasság

30.5mm

Hossz

106.4mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Szélesség

61.4mm

Sorozat

SKM200GB125D

Járműipari szabvány

Nem

Két IGBT modul


Semikron Sivazon modulokból származó SugáriOP® IGBT-modulok széles választéka, amelyek két sorozat csatlakoztatású IGBT-eszközt tartalmaznak. A modulok feszültség- és árambesorolások széles skálájában kaphatók, és számos elektromos kapcsolási alkalmazáshoz alkalmasak, mint például az AC inverter meghajtók és a szünetmentes tápegységek.

Kis méretű SugáriOP® csomag

12 kHz-ig terjedő frekvenciaváltásra alkalmas

Szigetelt réz alaplemez közvetlen Földeléssel

IGBT modulok Semikron


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.