Semikron Danfoss SKM200GB176D IGBT-modul N-csatornás, 260 A, 1700 V, 7-tüskés Panel, SEMITRANS 2

Csak a termékválasztékot bemutató kép

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

77 798 Ft

(ÁFA nélkül)

98 803 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Utolsó RS készlet
  • További 6 egység szállítása 2026. szeptember 14. dátumtól
  • Utolsó 74 egység szállítása 2026. szeptember 21. dátumtól

Egység
Egységenként
1 - 977 798 Ft
10 - 1971 910 Ft
20 +70 110 Ft

*irányár

RS raktári szám:
505-3217
Gyártó cikkszáma:
SKM200GB176D
Gyártó:
Semikron Danfoss
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Semikron Danfoss

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

260A

Terméktípus

IGBT-modul

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1700V

Tranzisztorok száma

2

Csomag típusa

SEMITRANS

Rögzítés típusa

Panel

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

7

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.45V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Szélesség

61.4mm

Sorozat

SKM200GB176D

Szabványok/jóváhagyások

No

Hossz

106.4mm

Magasság

30mm

Járműipari szabvány

Nem

Két IGBT modul


Semikron Sivazon modulokból származó SugáriOP® IGBT-modulok széles választéka, amelyek két sorozat csatlakoztatású IGBT-eszközt tartalmaznak. A modulok feszültség- és árambesorolások széles skálájában kaphatók, és számos elektromos kapcsolási alkalmazáshoz alkalmasak, mint például az AC inverter meghajtók és a szünetmentes tápegységek.

Kis méretű SugáriOP® csomag

12 kHz-ig terjedő frekvenciaváltásra alkalmas

Szigetelt réz alaplemez közvetlen Földeléssel

IGBT modulok Semikron


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.