Semikron Danfoss SKM400GAL12E4 IGBT4 modul N-csatornás, 40 A, 1.2 kV, 12 kHz, 5-tüskés Felület, SEMITRANS3

Csak a termékválasztékot bemutató kép

Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel

További 10 hozzáadása 49 310 Ft megtakarításához

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

100 650 Ft

(ÁFA nélkül)

127 826 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • 12 egység szállítása 2027. február 03. dátumtól
  • További 12 egység szállítása 2027. február 10. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
Megtakarítás
1 - 9100 650 Ft-
10 - 1995 719 Ft49 310 Ft
20 - 4990 889 Ft195 220 Ft
50 - 24986 359 Ft714 550 Ft
250 +82 129 Ft4 630 250 Ft

*irányár

RS raktári szám:
687-4989
Gyártó cikkszáma:
SKM400GAL12E4
Gyártó:
Semikron Danfoss
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Semikron Danfoss

Terméktípus

IGBT4 modul

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

40A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1.2kV

Csomag típusa

SEMITRANS3

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

5

Kapcsolási típus

12kHz

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.4V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

SEMITRANS 3 GAL

Hossz

106.4mm

Magasság

30.5mm

Szélesség

61.4mm

Szabványok/jóváhagyások

IEC 60747-1, UL E63532

Járműipari szabvány

Nem

Egy IGBT modul


A Semikron különböző topológiájú, áramerősség- és feszültségminősítésű IGBT- (szulfit-Gate Bioláris tranzisztor) modulokat kínál a SavRANON, SEMiX vagy SperiOP csomagokban.

IGBT modulok Semikron


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.