Semikron Danfoss SKM50GB12T4 IGBT-modul N-csatornás, 81 A, 1200 V, 20 kHz, 7-tüskés Panel, SEMITRANS 2

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

32 798 Ft

(ÁFA nélkül)

41 653 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • 47 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
  • További 32 egység szállítása 2026. szeptember 30. dátumtól
  • További 48 egység szállítása 2026. november 11. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
1 - 132 798 Ft
2 - 431 159 Ft
5 - 928 864 Ft
10 - 1927 420 Ft
20 +26 044 Ft

*irányár

RS raktári szám:
687-4967
Distrelec cikkszám:
171-01-156
Gyártó cikkszáma:
SKM50GB12T4
Gyártó:
Semikron Danfoss
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Semikron Danfoss

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

81A

Terméktípus

IGBT-modul

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Tranzisztorok száma

2

Csomag típusa

SEMITRANS

Rögzítés típusa

Panel

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

7

Kapcsolási típus

20kHz

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.1V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

No

Sorozat

SKM50GB12T4

Szélesség

34mm

Hossz

94mm

Magasság

30.1mm

Járműipari szabvány

Nem

Két IGBT modul


Semikron Sivazon modulokból származó SugáriOP® IGBT-modulok széles választéka, amelyek két sorozat csatlakoztatású IGBT-eszközt tartalmaznak. A modulok feszültség- és árambesorolások széles skálájában kaphatók, és számos elektromos kapcsolási alkalmazáshoz alkalmasak, mint például az AC inverter meghajtók és a szünetmentes tápegységek.

Kis méretű SugáriOP® csomag

12 kHz-ig terjedő frekvenciaváltásra alkalmas

Szigetelt réz alaplemez közvetlen Földeléssel

IGBT modulok Semikron


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.