onsemi FGAF40N60UFTU IGBT N-csatornás, 40 A, 600 V, 130 ns, 3-tüskés Furatszerelt, TO-3PF

Minden IGBT-k megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

1549 Ft

(ÁFA nélkül)

1967 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Utolsó RS készlet
  • 1 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
  • Utolsó 421 egység szállítása 2026. szeptember 17. dátumtól
Egység
Egységenként
1 +1 549 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
759-9257
Gyártó cikkszáma:
FGAF40N60UFTU
Gyártó:
onsemi
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

onsemi

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

40A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

100W

Csomag típusa

TO-3PF

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

130ns

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.3V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Sorozat

UF

Szélesség

23mm

Magasság

5.45mm

Hossz

26.5mm

Szabványok/jóváhagyások

AEC, RoHS

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
CN

Diszkrét IGBT-k Fairchild Semiconductor


IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.