onsemi FGAF40N60SMD IGBT N-csatornás, 80 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-3PF
- RS raktári szám:
- 807-0763
- Gyártó cikkszáma:
- FGAF40N60SMD
- Gyártó:
- onsemi
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 csomag / 2 egység)*
3780 Ft
(ÁFA nélkül)
4800 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 156 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | csomagonként* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1 890 Ft | 3 780 Ft |
| 20 + | 1 629,50 Ft | 3 259 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 807-0763
- Gyártó cikkszáma:
- FGAF40N60SMD
- Gyártó:
- onsemi
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | onsemi | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 80A | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 600V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 115W | |
| Csomag típusa | TO-3PF | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Kapcsolási típus | 1MHz | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | 20 V | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 1.9V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Sorozat | Field Stop | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka onsemi | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 80A | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 115W | ||
Csomag típusa TO-3PF | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Kapcsolási típus 1MHz | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 20 V | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 1.9V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Sorozat Field Stop | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
Diszkrét IGBT-k Fairchild Semiconductor
IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Kapcsolódó linkek
- onsemi IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3PF
- onsemi FGAF40N60UFTU IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3PF
- onsemi FGAF40S65AQ IGBT N-csatornás 650 V TO-3PF
- onsemi IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3PF
- STMicroelectronics STGP5H60DF IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-220
- STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-220
- STMicroelectronics STGF6NC60HD IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-220FP
- STMicroelectronics STGF15H60DF IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-220