STMicroelectronics STGW80V60DF IGBT N típus-csatornás, 120 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

1673 Ft

(ÁFA nélkül)

2125 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • 337 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
1 - 91 673 Ft
10 - 491 631 Ft
50 - 991 593 Ft
100 +1 491 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
792-5827
Gyártó cikkszáma:
STGW80V60DF
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

120A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

469W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

1MHz

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.3V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

Trench Gate Field Stop

Szabványok/jóváhagyások

No

Hossz

15.75mm

Szélesség

5.15mm

Magasság

20.15mm

Járműipari szabvány

Nem

IGBT diszkrét, STMicroelectronics


IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.