IXYS IXYH30N120C3D1 nagy sebességű IGBT N típus-csatornás, 66 A, 1200 V, 50 kHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

3109 Ft

(ÁFA nélkül)

3948 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • 151 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
1 - 93 109 Ft
10 - 192 794 Ft
20 - 492 659 Ft
50 - 2492 336 Ft
250 +2 093 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
808-0271
Distrelec cikkszám:
302-53-444
Gyártó cikkszáma:
IXYH30N120C3D1
Gyártó:
IXYS
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

IXYS

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

66A

Terméktípus

nagy sebességű IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

416W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

50kHz

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

3.3V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Hossz

20.32mm

Sorozat

GenX3TM

Szabványok/jóváhagyások

International Standard Package

Járműipari szabvány

Nem

Energiabesorolás

400mJ

IGBT diszkrét, IXYS XPT sorozat


Az IXYS-től származó különálló IGBT-k XPT™ választéka Extreme Light Pandch-Through vékony szelettechnológiát alkalmaz, amely csökkentett hőellenállást és alacsonyabb energiaveszteséget eredményez. Ezek az eszközök rövid átkapcsolási időt biztosítanak alacsony zárlati árammal, és számos ipari szabvány és egyedi csomagban kaphatók.

Nagy teljesítménysűrűség és alacsony VCE (sat)

Négyzetes eltérés Biztonságos Működési Területek (RBSOA) a névleges működési feszültségig

10usec készülék rövidzárlati teljesítménye

Pozitív bekapcsolási feszültség hőmérsékleti együttható

Opcionális tartozékként csomagolatlan Sonic-FRD™ vagy HiPerFRED™ diódák

Nemzetközi szabványos és gyártóspecifikus nagyfeszültségű csomagok

IGBT diszkrét és modulok, IXYS


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.