IXYS IXYH82N120C3 nagy sebességű IGBT N típus-csatornás, 82 A, 1200 V, 50 kHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Minden IGBT-k megtekintése
Összevont kedvezmény elérhető

Részösszeg (1 egység)*

8767 Ft

(ÁFA nélkül)

11 134 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • 261 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
1 - 58 767 Ft
6 - 147 874 Ft
15 +7 515 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
808-0290
Distrelec cikkszám:
302-53-450
Gyártó cikkszáma:
IXYH82N120C3
Gyártó:
IXYS
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

IXYS

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

82A

Terméktípus

nagy sebességű IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

1250W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

50kHz

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

3.2V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

1200V XPTTM IGBT GenX3TM

Szabványok/jóváhagyások

International Standard Package

Hossz

20.32mm

Járműipari szabvány

Nem

IGBT diszkrét, IXYS XPT sorozat


Az IXYS-től származó különálló IGBT-k XPT™ választéka Extreme Light Pandch-Through vékony szelettechnológiát alkalmaz, amely csökkentett hőellenállást és alacsonyabb energiaveszteséget eredményez. Ezek az eszközök rövid átkapcsolási időt biztosítanak alacsony zárlati árammal, és számos ipari szabvány és egyedi csomagban kaphatók.

Nagy teljesítménysűrűség és alacsony VCE (sat)

Négyzetes eltérés Biztonságos Működési Területek (RBSOA) a névleges működési feszültségig

10usec készülék rövidzárlati teljesítménye

Pozitív bekapcsolási feszültség hőmérsékleti együttható

Opcionális tartozékként csomagolatlan Sonic-FRD™ vagy HiPerFRED™ diódák

Nemzetközi szabványos és gyártóspecifikus nagyfeszültségű csomagok

IGBT diszkrét és modulok, IXYS


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek