onsemi ISL9V2040D3ST IGBT N-csatornás, 10 A, 430 V, 3-tüskés Felület, TO-252
- RS raktári szám:
- 862-9347
- Gyártó cikkszáma:
- ISL9V2040D3ST
- Gyártó:
- onsemi
Részösszeg (1 csomag / 5 egység)*
1183 Ft
(ÁFA nélkül)
1503 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Megszűnik
- Utolsó 2010 egység, szállításra készen áll egy másik helyről a szállításra
Egység | Egységenként | csomagonként* |
|---|---|---|
| 5 + | 236,60 Ft | 1 183 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 862-9347
- Gyártó cikkszáma:
- ISL9V2040D3ST
- Gyártó:
- onsemi
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | onsemi | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 10A | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 430V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 130W | |
| Csomag típusa | TO-252 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 1.9V | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±10 V | |
| Min. működési hőmérséklet | -40°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Sorozat | EcoSPARK | |
| Energiabesorolás | 200mJ | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka onsemi | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 10A | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 430V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 130W | ||
Csomag típusa TO-252 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 1.9V | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±10 V | ||
Min. működési hőmérséklet -40°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Sorozat EcoSPARK | ||
Energiabesorolás 200mJ | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
Diszkrét IGBT-k Fairchild Semiconductor
IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Kapcsolódó linkek
- onsemi AEC-Q101 ISL9V3040D3ST Gyújtás IGBT N-csatornás 430 V 3-tüskés Felület, TO-252
- onsemi IGBT N-csatornás 430 V TO-252
- STMicroelectronics STGD5NB120SZT4 IGBT N-csatornás 1200 V 3-tüskés Felület, TO-252
- onsemi AEC-Q101 FGD3040G2-F085 Gyújtás IGBT N-csatornás 400 V 3-tüskés Felület, TO-252
- Infineon IKD15N60RATMA1 IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Felület, TO-252
- STMicroelectronics AEC-Q101 STGD18N40LZT4 IGBT N-csatornás 390 V 3-tüskés Felület, TO-252
- onsemi AEC-Q101 Gyújtás IGBT N-csatornás 430 V 3-tüskés Felület, TO-252
- Infineon IKD15N60RFATMA1 IGBT N-csatornás 600 V TO-252