Infineon IKW08T120FKSA1 IGBT N típus-csatornás, 8 A, 1200 V, 20 kHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 4 egység)*

7020 Ft

(ÁFA nélkül)

8916 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • 12 egység szállítása 2026. augusztus 26. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csomagonként*
4 - 161 755 Ft7 020 Ft
20 - 361 667 Ft6 668 Ft
40 - 961 597,50 Ft6 390 Ft
100 - 1961 491,50 Ft5 966 Ft
200 +1 404,50 Ft5 618 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
892-2129
Gyártó cikkszáma:
IKW08T120FKSA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

8A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

70W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

20kHz

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.2V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Szabványok/jóváhagyások

Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC1

Sorozat

TrenchStop

Energiabesorolás

2.28mJ

Járműipari szabvány

Nem

Az Infineon TranchStop IGBT tranzisztorok, 1100 és 1600 V között


Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 1100 és 1600 V közötti feszültségszintű kollektorral TranchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.

• A Kollektor feszültségtartománya 1100 és 1600 V között

Igen alacsony VCéni

• Gyenge a kikapcsolódási veszteség

• Rövid hátsó áramerősség

• Alacsony EMI

• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C

IGBT diszkrét és Infineon


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.