Infineon IKW25N120T2FKSA1 IGBT N típus-csatornás, 50 A, 1200 V, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 2 egység)*

4733 Ft

(ÁFA nélkül)

6011 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Korlátozott készlet
  • 30 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csomagonként*
2 - 182 366,50 Ft4 733 Ft
20 - 482 248 Ft4 496 Ft
50 - 982 150,50 Ft4 301 Ft
100 - 1982 059 Ft4 118 Ft
200 +1 914,50 Ft3 829 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
897-7403
Gyártó cikkszáma:
IKW25N120T2FKSA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

50A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

349W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.2V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

TrenchStop

Szabványok/jóváhagyások

RoHS, JEDEC1, Pb-free lead plating

Járműipari szabvány

Nem

Energiabesorolás

4.3mJ

Az Infineon TranchStop IGBT tranzisztorok, 1100 és 1600 V között


Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 1100 és 1600 V közötti feszültségszintű kollektorral TranchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.

• A Kollektor feszültségtartománya 1100 és 1600 V között

Igen alacsony VCéni

• Gyenge a kikapcsolódási veszteség

• Rövid hátsó áramerősség

• Alacsony EMI

• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C

IGBT diszkrét és Infineon


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.