Infineon IKW25N120H3FKSA1 IGBT N-csatornás, 50 A, 1200 V, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 2 egység)*

4249 Ft

(ÁFA nélkül)

5396 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • 14 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
  • További 74 egység szállítása 2026. október 08. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csomagonként*
2 - 42 124,50 Ft4 249 Ft
6 - 181 834 Ft3 668 Ft
20 - 381 742 Ft3 484 Ft
40 - 981 665 Ft3 330 Ft
100 +1 429 Ft2 858 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
906-2892
Gyártó cikkszáma:
IKW25N120H3FKSA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

50A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

326W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.7V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

TrenchStop

Szabványok/jóváhagyások

RoHS, Pb-free lead plating, JEDEC

Energiabesorolás

4.3mJ

Járműipari szabvány

Nem

Az Infineon TranchStop IGBT tranzisztorok, 1100 és 1600 V között


Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 1100 és 1600 V közötti feszültségszintű kollektorral TranchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.

• A Kollektor feszültségtartománya 1100 és 1600 V között

Igen alacsony VCéni

• Gyenge a kikapcsolódási veszteség

• Rövid hátsó áramerősség

• Alacsony EMI

• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C

IGBT diszkrét és Infineon


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.