STMicroelectronics STGP10M65DF2 IGBT N-csatornás, 20 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 Furatszerelt

Minden IGBT-k megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
906-2795
Gyártó cikkszáma:
STGP10M65DF2
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

20A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Csomag típusa

TO-220

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Származási ország (Country of Origin):
CN

IGBT diszkrét, STMicroelectronics


IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.