STMicroelectronics STGP10M65DF2 IGBT N-csatornás, 20 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 Furatszerelt

Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
906-2795
Gyártó cikkszáma:
STGP10M65DF2
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

IGBT

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos kollektoráram (Ic)

20 A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség (Vceo)

650 V

Tüskék száma

3

Csomag típusa

TO-220

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Maximális kapu-emitter feszültség (VGEO)

20 V

Maximális működési hőmérséklet

175 °C

Min. működési hőmérséklet

-55 °C

Származási ország (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.