STMicroelectronics STGD5H60DF Trench Gate Field Stop (Árokkapu-térütköző) IGBT N típus-csatornás, 10 A, 600 V, 3-tüskés

Minden IGBT-k megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Sajnáljuk, nem tudjuk, mikor lesz újra készleten.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
906-2798
Gyártó cikkszáma:
STGD5H60DF
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

10A

Terméktípus

Trench Gate Field Stop (Árokkapu-térütköző) IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

88W

Csomag típusa

TO-252

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.95V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Magasság

2.4mm

Sorozat

H

Szélesség

6.2mm

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Hossz

6.6mm

Energiabesorolás

221mJ

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
CN

IGBT diszkrét, STMicroelectronics


IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.