STMicroelectronics Trench Gate Field Stop (Árokkapu-térütköző) IGBT N-csatornás, 10 A, 600 V, 3-tüskés Felület, TO-252

Minden IGBT-k megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
RS raktári szám:
165-8040
Gyártó cikkszáma:
STGD5H60DF
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

Trench Gate Field Stop (Árokkapu-térütköző) IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

10A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

88W

Csomag típusa

TO-252

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.95V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Szélesség

6.2mm

Sorozat

H

Magasság

2.4mm

Hossz

6.6mm

Járműipari szabvány

Nem

Energiabesorolás

221mJ

Származási ország (Country of Origin):
CN

IGBT diszkrét, STMicroelectronics


IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.