N MOSFET, 30 A, 600 V, Növekményes, 2-tüskés, TO-263 STMicroelectronics STB STB45N60DM6
- RS raktári szám:
- 214-850
- Gyártó cikkszáma:
- STB45N60DM6
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Részösszeg (1 tekercs / 1000 egység)*
1 412 900 Ft
(ÁFA nélkül)
1 794 400 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. március 15. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | orsónként* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1 412,90 Ft | 1 412 900 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 214-850
- Gyártó cikkszáma:
- STB45N60DM6
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 30A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 600V | |
| Sorozat | STB | |
| Csomag típusa | TO-263 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 2 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 99mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 25V | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.6V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 210W | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Magasság | 4.6mm | |
| Szélesség | 10.4mm | |
| Hossz | 15.85mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 30A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 600V | ||
Sorozat STB | ||
Csomag típusa TO-263 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 2 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 99mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 25V | ||
Továbbító feszültség Vf 1.6V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 210W | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Magasság 4.6mm | ||
Szélesség 10.4mm | ||
Hossz 15.85mm | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Az STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény-MOSFET az MDmesh DM6 gyors helyreállítási diódasorozat része. Az előző MDmesh gyors generációval összehasonlítva a DM6 nagyon alacsony helyreállítási töltést (Qrr), helyreállítási időt (trr) és az RDS(on) területenkénti kiváló javulását ötvözi a piacon elérhető egyik leghatékonyabb kapcsolási magatartással a legigényesebb nagy hatékonyságú hídtopológiákhoz és a ZVS fázisváltású átalakítókhoz.
Rendkívül magas dv/dt robusztusság
Zener védett
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 600 V 2-tüskés, TO-263 STMicroelectronics STB STB45N60DM6
- N MOSFET 600 V 3-tüskés, TO-263 STMicroelectronics STB
- N MOSFET 250 V 3-tüskés, TO-263 STMicroelectronics STB Series STB25N018M9
- N MOSFET 600 V 3-tüskés, TO-263 STMicroelectronics STB STB18N60M6
- N MOSFET 200 V 3-tüskés, TO-263 STMicroelectronics STripFET
- N MOSFET 710 V 3-tüskés, TO-263 STMicroelectronics MDmesh M5
- MOSFET N 600 V 3-tüskés, TO-220 ST STMicroelectronics STF36N60M6
- N MOSFET 200 V 3-tüskés, TO-263 STMicroelectronics STripFET STB30NF20