N AEC-Q101 MOSFET, 60 A, 650 V, Növekményes, 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT SCT027H65G3AG
- RS raktári szám:
- 214-955
- Gyártó cikkszáma:
- SCT027H65G3AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
4594 Ft
(ÁFA nélkül)
5834 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 1000 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 4 594 Ft |
| 10 - 99 | 4 249 Ft |
| 100 - 999 | 4 200 Ft |
| 1000 + | 4 148 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 214-955
- Gyártó cikkszáma:
- SCT027H65G3AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 60A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 650V | |
| Sorozat | SCT | |
| Csomag típusa | H2PAK-7 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 7 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 29mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Továbbító feszültség Vf | 2.9V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 48.6nC | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 22V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 300W | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szélesség | 10.4mm | |
| Hossz | 15.25mm | |
| Magasság | 4.8mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS, AEC-Q101 | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 60A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 650V | ||
Sorozat SCT | ||
Csomag típusa H2PAK-7 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 7 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 29mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Továbbító feszültség Vf 2.9V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 48.6nC | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 22V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 300W | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szélesség 10.4mm | ||
Hossz 15.25mm | ||
Magasság 4.8mm | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS, AEC-Q101 | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Az STMicroelectronics szilícium-karbid Power MOSFET eszköze az ST fejlett és innovatív, 3. generációs SiC MOSFET technológiájának felhasználásával készült. Az eszköz a teljes hőmérséklet-tartományban nagyon alacsony RDS(be) értékkel, alacsony kapacitással és nagyon magas kapcsolási műveletekkel kombinálva javítja az alkalmazások teljesítményét a frekvencia, az energiahatékonyság, a rendszerméret és a tömeg csökkentése terén.
Nagy sebességű kapcsolási teljesítmény
Nagyon gyors és robusztus belső testdióda
Kapcsolódó linkek
- N AEC-Q101 MOSFET 1200 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT SCT040H120G3AG
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT SCT018H65G3AG
- N AEC-Q101 MOSFET 900 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT SCT012H90G3AG
- N MOSFET 1200 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT SCT070H120G3-7
- N Nagy teljesítményű MOSFET 650 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics Sct SCT018H65G3-7
- AEC-Q101 MOSFET 1200 V, H2PAK-7 SCT STMicroelectronics
- AEC-Q101 MOSFET N 1200 V 7-tüskés, H2PAK-7 SCT STMicroelectronics SCT070H120G3AG
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 4-tüskés STMicroelectronics SCT SCT027W65G3-4AG