N AEC-Q101 MOSFET, 40 A, 1.2 kV, Növekményes, 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT040W120G3-4
- RS raktári szám:
- 214-957
- Gyártó cikkszáma:
- SCT040W120G3-4
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
- RS raktári szám:
- 214-957
- Gyártó cikkszáma:
- SCT040W120G3-4
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 40A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 1.2kV | |
| Csomag típusa | Hip-247-4 | |
| Sorozat | SCT | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 4 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 40mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | -10V, 22V | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.2kV | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 312W | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximális működési hőmérséklet | 200°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS, ECOPACK2 | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 40A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 1.2kV | ||
Csomag típusa Hip-247-4 | ||
Sorozat SCT | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 4 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 40mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs -10V, 22V | ||
Továbbító feszültség Vf 1.2kV | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 312W | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximális működési hőmérséklet 200°C | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS, ECOPACK2 | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
Az STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET-eszközét az ST fejlett és innovatív 3. generációs SiC MOSFET-technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz a teljes hőmérséklet-tartományban nagyon alacsony RDS(be) értékkel, alacsony kapacitással és nagyon magas kapcsolási műveletekkel kombinálva javítja az alkalmazások teljesítményét a frekvencia, az energiahatékonyság, a rendszerméret és a tömeg csökkentése terén.
Nagy sebességű kapcsolási teljesítmény
Nagyon gyors és robusztus belső testdióda
Kapcsolódó linkek
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT040W120G3-4
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT020W120G3-4AG
- N Nagy teljesítményű MOSFET 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics Sct SCT025W120G3-4
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT070W120G3-4AG
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT027W65G3-4AG
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT015W120G3-4AG
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT055W65G3-4AG
- AEC-Q101 MOSFET N 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 SCT STMicroelectronics SCT040W120G3-4AG