N AEC-Q101 MOSFET, 60 A, 650 V, Növekményes, 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT027W65G3-4AG
- RS raktári szám:
- 215-228
- Gyártó cikkszáma:
- SCT027W65G3-4AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Részösszeg (1 cső / 30 egység)*
151 719 Ft
(ÁFA nélkül)
192 684 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. július 19. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | csövenként* |
|---|---|---|
| 30 + | 5 057,30 Ft | 151 719 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 215-228
- Gyártó cikkszáma:
- SCT027W65G3-4AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 60A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 650V | |
| Csomag típusa | Hip-247-4 | |
| Sorozat | SCT | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Tüskék száma | 4 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 29mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Továbbító feszültség Vf | 3V | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | -10V, 22V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 313W | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximális működési hőmérséklet | 200°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | AEC-Q101 | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 60A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 650V | ||
Csomag típusa Hip-247-4 | ||
Sorozat SCT | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Tüskék száma 4 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 29mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Továbbító feszültség Vf 3V | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs -10V, 22V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 313W | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximális működési hőmérséklet 200°C | ||
Szabványok/jóváhagyások AEC-Q101 | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Az STMicroelectronics szilícium-karbid Power MOSFET eszköze az ST fejlett és innovatív, 3. generációs SiC MOSFET technológiájának felhasználásával készült. Az eszköz a teljes hőmérséklet-tartományban nagyon alacsony RDS(be) értékkel, alacsony kapacitással és nagyon magas kapcsolási műveletekkel kombinálva javítja az alkalmazások teljesítményét a frekvencia, az energiahatékonyság, a rendszerméret és a tömeg csökkentése terén.
Nagy sebességű kapcsolási teljesítmény
Nagyon gyors és robusztus belső testdióda
Kapcsolódó linkek
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT027W65G3-4AG
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT070W120G3-4AG
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT020W120G3-4AG
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT015W120G3-4AG
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT055W65G3-4AG
- AEC-Q101 MOSFET N 900 V 4-tüskés, Hip-247-4 SCT STMicroelectronics SCT012W90G3-4AG
- AEC-Q101 MOSFET N 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 SCT STMicroelectronics SCT040W120G3-4AG
- AEC-Q101 MOSFET N 650 V 4-tüskés, Hip-247-4 SCT STMicroelectronics SCT040W65G3-4AG