N AEC-Q101 MOSFET, 24 A, 750 V, Növekményes, 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC AIMBG75R090M1HXTMA1
- RS raktári szám:
- 349-212
- Gyártó cikkszáma:
- AIMBG75R090M1HXTMA1
- Gyártó:
- Infineon
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
2884 Ft
(ÁFA nélkül)
3663 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. április 19. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 2 884 Ft |
| 10 - 99 | 2 591 Ft |
| 100 - 499 | 2 393 Ft |
| 500 - 999 | 2 228 Ft |
| 1000 + | 1 988 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 349-212
- Gyártó cikkszáma:
- AIMBG75R090M1HXTMA1
- Gyártó:
- Infineon
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Infineon | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 24A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 750V | |
| Csomag típusa | PG-TO263-7 | |
| Sorozat | CoolSiC | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 7 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 117mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 23V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 128W | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Infineon | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 24A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 750V | ||
Csomag típusa PG-TO263-7 | ||
Sorozat CoolSiC | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 7 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 117mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 23V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 128W | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- MY
Az Infineon 750 V CoolSiC MOSFET az Infineon több mint 20 éve kifejlesztett szilárd szilícium-karbid technológiájára épül. A széles sávszélességű SiC anyagjellemzőit kihasználva a 750V-os CoolSiC MOSFET a teljesítmény, a megbízhatóság és az egyszerű használat egyedülálló kombinációját kínálja. Alkalmas magas hőmérsékletű és zord körülmények között végzett műveletekhez, lehetővé teszi a legmagasabb rendszerhatékonyság egyszerűsített és költséghatékony telepítését.
Infineon saját die attach technológia
Meghajtóforrás pin elérhető
Fokozott robusztusság és megbízhatóság 500 V feletti buszfeszültségek esetén
Kiemelkedő hatékonyság a kemény kapcsolásnál
Magasabb kapcsolási frekvencia lágy kapcsolási topológiákban
Robusztusság a parazita bekapcsolással szemben az egypólusú kapu meghajtásánál
Csökkentett kapcsolási veszteségek a jobb kapuvezérlés révén
Kapcsolódó linkek
- N AEC-Q101 MOSFET 750 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC AIMBG75R027M1HXTMA1
- N AEC-Q101 MOSFET 750 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC AIMBG75R040M1HXTMA1
- N AEC-Q101 MOSFET 750 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC AIMBG75R060M1HXTMA1
- N AEC-Q101 MOSFET 750 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC AIMBG75R140M1HXTMA1
- N AEC-Q101 MOSFET 750 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC AIMBG75R020M1HXTMA1
- N AEC-Q101 MOSFET 750 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC AIMBG75R016M1HXTMA1
- N MOSFET 650 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC IMBG65R050M2HXTMA1
- N MOSFET 650 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC IMBG65R040M2HXTMA1