MOSFET N, 185 A, 1200 V, Növekményes Infineon FF3MR12KM1HHPSA1
- RS raktári szám:
- 349-315
- Gyártó cikkszáma:
- FF3MR12KM1HHPSA1
- Gyártó:
- Infineon
Részösszeg (1 egység)*
101 704 Ft
(ÁFA nélkül)
129 164 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 8 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 + | 101 704 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 349-315
- Gyártó cikkszáma:
- FF3MR12KM1HHPSA1
- Gyártó:
- Infineon
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Infineon | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 185A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 1200V | |
| Rögzítés típusa | Csavaros csatlakozó | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 6.32mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Min. működési hőmérséklet | -40°C | |
| Továbbító feszültség Vf | 5.59V | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 23V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Infineon | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 185A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 1200V | ||
Rögzítés típusa Csavaros csatlakozó | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 6.32mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Min. működési hőmérséklet -40°C | ||
Továbbító feszültség Vf 5.59V | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 23V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- HU
Az Infineon 62 mm-es CoolSiC MOSFET Half-Bridge modul a jól ismert 62 mm-es csomagolásban található, és a legújabb M1H chiptechnológiát ötvözi az optimális teljesítmény érdekében. Ez a modul nagy áramsűrűséget biztosít, így ideális olyan alkalmazásokhoz, amelyek kompakt, mégis nagy teljesítményű megoldásokat igényelnek. Alacsony kapcsolási veszteségeket kínál, ami még magas frekvencián is hatékony működést biztosít, és kiváló kapuoxid-megbízhatósággal rendelkezik, ami hosszú távon növeli a tartósságot.
Minimalizálja a hűtési erőfeszítéseket
Térfogat- és méretcsökkentés
Csökkentett rendszerköltségek
Szimmetrikus modul kialakítás
Szabványos építési technika
Kapcsolódó linkek
- MOSFET modul N 1200 V 7-tüskés, AG-62MMHB C Series Félhíd Infineon FF3MR12KM1HSHPSA1
- MOSFET modul N 1200 V 7-tüskés, AG-62MMHB C Series Félhíd Infineon FF5MR20KM1HSHPSA1
- SiC teljesítménymodul 1200 V, SEMITOP E2 Semikron Danfoss SEMITOP SK150MB120CR03TE2
- N MOSFET 1200 V 7-tüskés, TO-263 Infineon IMBG IMBG120R140M1HXTMA1
- N MOSFET 1200 V 7-tüskés, TO-263 Infineon IMBG
- N MOSFET 1200 V 7-tüskés, TO-263 Infineon IMBG IMBG120R220M1HXTMA1
- MOSFET N 1200 V AG-EASY2B F4 Izolált Infineon F445MR12W1M1B76BPSA1
- MOSFET N 1200 V, Növekményes Infineon FF3MR12KM1HPHPSA1