N MOSFET, 91 A, 650 V, Növekményes, 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC IMBG65R020M2HXTMA1
- RS raktári szám:
- 349-325
- Gyártó cikkszáma:
- IMBG65R020M2HXTMA1
- Gyártó:
- Infineon
Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel
További 10 hozzáadása 6000 Ft megtakarításához
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
6071 Ft
(ÁFA nélkül)
7710 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 995 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | Megtakarítás |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 6 071 Ft | - |
| 10 - 99 | 5 471 Ft | 6000 Ft |
| 100 + | 5 044 Ft | 102 700 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 349-325
- Gyártó cikkszáma:
- IMBG65R020M2HXTMA1
- Gyártó:
- Infineon
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Infineon | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 91A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 650V | |
| Sorozat | CoolSiC | |
| Csomag típusa | PG-TO263-7 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 7 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 20mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 326W | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 23V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 57nC | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Infineon | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 91A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 650V | ||
Sorozat CoolSiC | ||
Csomag típusa PG-TO263-7 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 7 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 20mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 326W | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 23V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 57nC | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- MY
Az Infineon 650 V-os CoolSiC MOSFET G2 az Infineon robusztus, 2. generációs szilíciumkarbid árok technológiájára épül, amely páratlan teljesítményt, kiváló megbízhatóságot és kivételesen egyszerű használatot kínál. Ez a MOSFET költséghatékony, nagy hatékonyságú és egyszerűsített tervezést tesz lehetővé, amely megfelel a modern energiarendszerek és piacok egyre növekvő igényeinek. Ideális olyan alkalmazásokhoz, ahol nagy hatékonyságra és robusztus teljesítményre van szükség, és megbízható megoldást nyújt a teljesítményelektronika széles skálájához.
Ultra alacsony kapcsolási veszteségek
Robusztus a parazita bekapcsolással szemben még 0 V-os kikapcsolt kapufeszültség esetén is
Rugalmas vezérlőfeszültség és kompatibilis a bipoláris vezérlési sémával
Robusztus testdióda működés kemény kommutációs események mellett
A .XT összekapcsolási technológia a legjobb hőteljesítményt nyújtja a kategóriájában
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 650 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC IMBG65R050M2HXTMA1
- N MOSFET 650 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC IMBG65R040M2HXTMA1
- N Nagy teljesítményű MOSFET 650 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC IMBG65R075M2HXTMA1
- N MOSFET 650 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC IMBG65R015M2HXTMA1
- N MOSFET 650 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC IMBG65R007M2HXTMA1
- N AEC-Q101 MOSFET 750 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC AIMBG75R027M1HXTMA1
- N AEC-Q101 MOSFET 750 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC AIMBG75R040M1HXTMA1
- N AEC-Q101 MOSFET 750 V 7-tüskés, PG-TO263-7 Infineon CoolSiC AIMBG75R060M1HXTMA1