N Nagy teljesítményű MOSFET, 56 A, 250 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-220 STMicroelectronics STP25 STP25N018M9
- RS raktári szám:
- 711-524
- Gyártó cikkszáma:
- STP25N018M9
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel
További 10 hozzáadása 47% megtakarításához
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
1883 Ft
(ÁFA nélkül)
2391 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 232 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | Megtakarítás |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 1 883 Ft | - |
| 10 - 99 | 983 Ft | 47% |
| 100 - 499 | 896 Ft | 52% |
| 500 + | 743 Ft | 60% |
*irányár
- RS raktári szám:
- 711-524
- Gyártó cikkszáma:
- STP25N018M9
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | Nagy teljesítményű MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 56A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 250V | |
| Sorozat | STP25 | |
| Csomag típusa | TO-220 | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 18mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 30V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 320W | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.6V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szélesség | 10.4mm | |
| Magasság | 4.6mm | |
| Hossz | 15.75mm | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus Nagy teljesítményű MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 56A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 250V | ||
Sorozat STP25 | ||
Csomag típusa TO-220 | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 18mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 30V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 320W | ||
Továbbító feszültség Vf 1.6V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szélesség 10.4mm | ||
Magasság 4.6mm | ||
Hossz 15.75mm | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Az STMicroelectronics N-csatornás teljesítmény MOSFET-je a leginnovatívabb szuper-csatlakozó MDmesh M9 technológián alapul, amely alkalmas a közepes/nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyek nagyon alacsony RDS(on) területenként. A szilícium-alapú M9 technológia előnyeit a többszörös leeresztési gyártási folyamat biztosítja, amely lehetővé teszi a továbbfejlesztett eszközszerkezet kialakítását. Az eredmény A termék az egyik alacsonyabb bekapcsolt állapotú ellenállással és csökkentett kaputöltési értékekkel rendelkezik az összes szilícium-alapú gyors kapcsolású szupercsatlakozó Power MOSFET között, így különösen alkalmas olyan alkalmazásokhoz, amelyek kiváló teljesítménysűrűséget és kiemelkedő hatékonyságot igényelnek.
Nagyon alacsony FOM (RDS(on)·Qg)
Nagyobb dv/dt-kapacitás
Kiváló kapcsolási teljesítmény
Könnyen vezérelhető
100%-ban tesztelt lavinák
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 250 V 3-tüskés, TO-263 STMicroelectronics STB Series STB25N018M9
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCT SCT025W120G3AG
- N Nagy teljesítményű MOSFET 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics Sct SCT025W120G3-4
- AEC-Q101 MOSFET N 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 SCT STMicroelectronics SCT025W120G3-4AG
- N MOSFET 200 V 3-tüskés, TO-220 Infineon HEXFET
- N MOSFET 750 V 3-tüskés, Cső ROHM
- N MOSFET 750 V 4-tüskés, Cső ROHM
- N MOSFET 200 V 3-tüskés, TO-220 Infineon HEXFET IRFB260NPBF