N Nagy teljesítményű MOSFET, 10 A, 30 V, Növekményes, 8-tüskés, SO-8 STMicroelectronics STS STS10N3LH5
- RS raktári szám:
- 719-622
- Gyártó cikkszáma:
- STS10N3LH5
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Részösszeg (1 egység)*
131 Ft
(ÁFA nélkül)
166 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Utolsó RS készlet
- Utolsó 290 egység, szállításra készen áll egy másik helyről a szállításra
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 + | 131 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 719-622
- Gyártó cikkszáma:
- STS10N3LH5
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | Nagy teljesítményű MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 10A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 30V | |
| Sorozat | STS | |
| Csomag típusa | SO-8 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 8 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 0.021Ω | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.1V | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 22V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 2.5W | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szélesség | 4mm | |
| Magasság | 1.75mm | |
| Hossz | 5mm | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus Nagy teljesítményű MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 10A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 30V | ||
Sorozat STS | ||
Csomag típusa SO-8 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 8 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 0.021Ω | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Továbbító feszültség Vf 1.1V | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 22V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 2.5W | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szélesség 4mm | ||
Magasság 1.75mm | ||
Hossz 5mm | ||
Az STMicroelectronics STripFETTMV teljesítmény MOSFET technológiája a legújabb fejlesztések közé tartozik, amelyeket kifejezetten azért alakítottak ki, hogy nagyon alacsony bekapcsolt állapotú ellenállást érjenek el, és a kategória egyik legjobb FOM-ja is legyen.
Rendkívül alacsony bekapcsolt ellenállás RDS(be)
Nagyon alacsony kapcsolási kaputöbblet
Nagyfokú lavinabiztosság
Alacsony kapumeghajtó teljesítményveszteség
Kapcsolódó linkek
- N Nagy teljesítményű MOSFET 30 V 8-tüskés, SO-8 STMicroelectronics STS STS10N3LH5
- P típus MOSFET 30 V SO-8 Infineon IRF IRF7416TRPBF
- P típus MOSFET 30 V SO-8 Infineon IRF
- P típus AEC-Q101 MOSFET 30 V 6-tüskés, SC-70 Vishay TrenchFET SQA403EJ-T1_GE3
- P típus MOSFET 30 V 8-tüskés, SOP Toshiba TPC TPC8125
- P típus MOSFET 30 V 8-tüskés, SOP Toshiba TPC
- N AEC-Q101 MOSFET 30 V 8-tüskés, SOIC DiodesZetex DMG DMG4466SSS-13
- N AEC-Q101 MOSFET 30 V 6-tüskés, UDFN-2020 DiodesZetex DMN3016LFDFQ-7
