P-csatornás Tranzisztor, 11.5 A, 700 V, Növekményes, 8-tüskés, PowerFLAT STMicroelectronics G-HEMT SGT190R70ILB
- RS raktári szám:
- 719-635
- Gyártó cikkszáma:
- SGT190R70ILB
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
499 Ft
(ÁFA nélkül)
634 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 300 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 499 Ft |
| 10 - 24 | 443 Ft |
| 25 - 99 | 431 Ft |
| 100 - 499 | 428 Ft |
| 500 + | 413 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 719-635
- Gyártó cikkszáma:
- SGT190R70ILB
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | Tranzisztor | |
| Csatorna típusa | P-csatornás | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 11.5A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 700V | |
| Sorozat | G-HEMT | |
| Csomag típusa | PowerFLAT | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 8 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 190mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | -6V, 7V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 83W | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Magasság | 900μm | |
| Hossz | 8.1mm | |
| Szélesség | 8.1mm | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus Tranzisztor | ||
Csatorna típusa P-csatornás | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 11.5A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 700V | ||
Sorozat G-HEMT | ||
Csomag típusa PowerFLAT | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 8 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 190mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs -6V, 7V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 83W | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Magasság 900μm | ||
Hossz 8.1mm | ||
Szélesség 8.1mm | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Az STMicroelectronics 700 V 11,5 A-es e-mode PowerGaN tranzisztora jól bevált csomagolási technológiával kombinálva. Az így kapott G-HEMT eszköz rendkívül alacsony vezetési veszteségeket, nagy áramerősséget és rendkívül gyors kapcsolási működést biztosít a nagy teljesítménysűrűség és a verhetetlen hatékonyság teljesítménye érdekében.
Továbbfejlesztési mód normál kikapcsolású tranzisztor
Nagyon nagy kapcsolási sebesség
Magas energiagazdálkodási képesség
Rendkívül alacsony kapacitás
Kelvin forráspárna az optimális kapuvezetéshez
Nulla fordított helyreállítási töltés
ESD-védelem
Kapcsolódó linkek
- P-csatornás Tranzisztor 700 V 8-tüskés, PowerFLAT STMicroelectronics G-HEMT SGT105R70ILB
- P-csatornás Tranzisztor 700 V 8-tüskés, PowerFLAT STMicroelectronics G-HEMT SGT240R70ILB
- P-csatornás Tranzisztor 700 V 8-tüskés, PowerFLAT STMicroelectronics G-HEMT SGT140R70ILB
- P-csatornás Tranzisztor 700 V 8-tüskés, PowerFLAT STMicroelectronics G-HEMT SGT080R70ILB
- P-csatornás Nagy teljesítményű MOSFET 700 V 2-tüskés, TO-252 STMicroelectronics G-HEMT SGT350R70GTK
- P-csatornás Tranzisztor 700 V 13-tüskés, TO-LL STMicroelectronics G-HEMT SGT070R70HTO
- MOSFET 750 V 4-tüskés, Tekercs STMicroelectronics G-HEMT
- MOSFET 750 V 4-tüskés, Tekercs STMicroelectronics G-HEMT SGT120R65AL