N MOSFET, 17.4 A, 800 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-263 Vishay SIHB21N80AE SIHB21N80AE-T5-GE3
- RS raktári szám:
- 735-129
- Gyártó cikkszáma:
- SIHB21N80AE-T5-GE3
- Gyártó:
- Vishay
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 szalag / 1 egység)*
1320 Ft
(ÁFA nélkül)
1676 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 800 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Tekercs(ek) | tekercsenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 1 320 Ft |
| 10 - 49 | 814 Ft |
| 50 - 99 | 634 Ft |
| 100 + | 525 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 735-129
- Gyártó cikkszáma:
- SIHB21N80AE-T5-GE3
- Gyártó:
- Vishay
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Vishay | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 17.4A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 800V | |
| Sorozat | SIHB21N80AE | |
| Csomag típusa | TO-263 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 0.205Ω | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 30V | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.2V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 179W | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szélesség | 355μm | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Hossz | 420μm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Vishay | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 17.4A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 800V | ||
Sorozat SIHB21N80AE | ||
Csomag típusa TO-263 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 0.205Ω | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 30V | ||
Továbbító feszültség Vf 1.2V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 179W | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szélesség 355μm | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Hossz 420μm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- IL
A Vishay Power MOSFET nagy hatékonyságot és robusztus teljesítményt nyújt a tápegységekben, alkalmas igényes alkalmazásokhoz szerver- és távközlési környezetekben. Úgy tervezték, hogy optimalizálja az energiagazdálkodást és minimalizálja a veszteségeket.
Alacsony tényleges kapacitás, amely hozzájárul a gyorsabb válaszidőkhöz
Az egyetlen konfiguráció egyszerűsíti a tervezést és az integrációt
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 800 V 3-tüskés, TO-263 Vishay SIHB21N80AE SIHB21N80AE-T1-GE3
- N MOSFET 800 V 3-tüskés, TO-263 Vishay E SIHB21N80AE-GE3
- N MOSFET 800 V 3-tüskés, TO-247 Vishay SiHW21N80AE SIHW21N80AE-GE3
- N Nagy teljesítményű MOSFET 800 V 3-tüskés, TO-247AC Vishay E SIHG21N80AE-GE3
- N MOSFET 650 V 3-tüskés, TO-263 Vishay E SIHB120N60E-T5-GE3
- N Nagy teljesítményű MOSFET 600 V 3-tüskés, TO-263 Vishay EF
- P típus MOSFET 200 V 3-tüskés, TO-263 Vishay SiHF9630S SIHF9630STRL-GE3
- P típus MOSFET 60 V 3-tüskés, TO-263 Vishay SiHF9Z14S SIHF9Z14S-GE3