N MOSFET, 100 A, 60 V, Növekményes, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Vishay SiR SIR626DP-T1-RE3
- RS raktári szám:
- 735-140
- Gyártó cikkszáma:
- SIR626DP-T1-RE3
- Gyártó:
- Vishay
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
1369 Ft
(ÁFA nélkül)
1739 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. december 09. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 1 369 Ft |
| 10 - 99 | 739 Ft |
| 100 - 499 | 615 Ft |
| 500 + | 488 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 735-140
- Gyártó cikkszáma:
- SIR626DP-T1-RE3
- Gyártó:
- Vishay
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Vishay | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 100A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 60V | |
| Csomag típusa | PowerPAK SO-8 | |
| Sorozat | SiR | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 8 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 0.0017Ω | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 104W | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 20V | |
| Továbbító feszültség Vf | 60V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Szélesség | 6mm | |
| Hossz | 7mm | |
| Magasság | 2mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Vishay | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 100A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 60V | ||
Csomag típusa PowerPAK SO-8 | ||
Sorozat SiR | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 8 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 0.0017Ω | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 104W | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 20V | ||
Továbbító feszültség Vf 60V | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Szélesség 6mm | ||
Hossz 7mm | ||
Magasság 2mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
A Vishay N-csatornás MOSFET 60 V-os leeresztő-forrás feszültségre van besorolva, amely nagy hatékonyságú kapcsolásra van optimalizálva AI tápkiszolgáló DC/DC átalakítókban és szinkron egyenirányító áramkörökben. Nagyon alacsony, max. 1,7 mΩ-os ellenállást ér el 10 V-os kapumeghajtó mellett a vezetési veszteségek minimalizálása érdekében nagy áramerősségű alkalmazásokban
52 nC-os jellemző teljes kaputöltés a gyors kapcsolás érdekében
Alacsony RDS(on) x Qg érdemszám
15 °C/W maximális csatlakozó-környezeti hőellenállás
Kapcsolódó linkek
- P típus MOSFET 60 V 8-tüskés, SO-8 Vishay SiR SIR5607DP-T1-RE3
- N MOSFET 80 V 8-tüskés, SO-8 Vishay SiR SIR5808DP-T1-RE3
- N MOSFET 100 V 8-tüskés, SO-8 Vishay SiR SIR5112DP-T1-RE3
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Vishay SiR SIR500DP-T1-RE3
- P típus MOSFET 40 V 8-tüskés, SO-8 Vishay SiR SIR4409DP-T1-RE3
- P típus MOSFET 60 V 8-tüskés, SO-8 Vishay SiR SIR5623DP-T1-RE3
- N MOSFET 100 V 8-tüskés, SO-8 Vishay SiR SIR5110DP-T1-RE3
- N MOSFET 100 V 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Vishay SiR SIR510DP-T1-RE3