N MOSFET, 54.7 A, 80 V, Növekményes, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Vishay SISS30DN SISS30DN-T1-BE3
- RS raktári szám:
- 736-352
- Gyártó cikkszáma:
- SISS30DN-T1-BE3
- Gyártó:
- Vishay
Részösszeg (1 szalag / 1 egység)*
446 Ft
(ÁFA nélkül)
566 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. december 13. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Tekercs(ek) | tekercsenként |
|---|---|
| 1 + | 446 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 736-352
- Gyártó cikkszáma:
- SISS30DN-T1-BE3
- Gyártó:
- Vishay
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Vishay | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 54.7A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 80V | |
| Csomag típusa | PowerPAK 1212-8S | |
| Sorozat | SISS30DN | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 8 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 0.00825Ω | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 20V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 26nC | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.1V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 57W | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Hossz | 3.3mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Szélesség | 3.3mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Vishay | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 54.7A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 80V | ||
Csomag típusa PowerPAK 1212-8S | ||
Sorozat SISS30DN | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 8 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 0.00825Ω | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 20V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 26nC | ||
Továbbító feszültség Vf 1.1V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 57W | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Hossz 3.3mm | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Szélesség 3.3mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- IL
A Vishay N-csatornás MOSFET-et hatékony szinkron egyenirányításhoz és teljesítményátalakítási alkalmazásokhoz tervezték. Kiváló teljesítménystabilitást biztosít igényes környezetekben.
A TrenchFET Gen IV technológia növeli az elektromos hatékonyságot
Nagyon alacsony bekapcsolási ellenállás minimalizálja az energiaveszteséget működés közben
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 60 V 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Vishay SISS26DN SISS26DN-T1-BE3
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Vishay SISS64DN SISS64DN-T1-BE3
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Vishay SISS52DN SISS52DN-T1-BE3
- N MOSFET 80 V 8-tüskés, 1212-8S Vishay SiSS SISS32ADN-T1-BE3
- N csatorna MOSFET 250 V 8-tüskés, PowerPack Vishay TrenchFET SISS92DN-T1-BE3
- N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET 80 V 8-tüskés, PowerPAK Vishay TrenchFET SIR178DP-T1-BE3
- N MOSFET 45 V 8-tüskés, PowerPAK Vishay TrenchFET SIR608DP-T1-BE3
- N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET 250 V 8-tüskés, PowerPAK Vishay TrenchFET SIR692DP-T1-BE3
