N MOSFET, 54.7 A, 80 V, Növekményes, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Vishay SISS30DN SISS30DN-T1-BE3

Részösszeg (1 szalag / 1 egység)*

446 Ft

(ÁFA nélkül)

566 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. december 13. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Tekercs(ek)
tekercsenként
1 +446 Ft

*irányár

RS raktári szám:
736-352
Gyártó cikkszáma:
SISS30DN-T1-BE3
Gyártó:
Vishay
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Vishay

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram Id

54.7A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

80V

Csomag típusa

PowerPAK 1212-8S

Sorozat

SISS30DN

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

8

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

0.00825Ω

Csatorna mód

Növekményes

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

20V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

26nC

Továbbító feszültség Vf

1.1V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

57W

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Hossz

3.3mm

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Szélesség

3.3mm

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
IL
A Vishay N-csatornás MOSFET-et hatékony szinkron egyenirányításhoz és teljesítményátalakítási alkalmazásokhoz tervezték. Kiváló teljesítménystabilitást biztosít igényes környezetekben.

A TrenchFET Gen IV technológia növeli az elektromos hatékonyságot

Nagyon alacsony bekapcsolási ellenállás minimalizálja az energiaveszteséget működés közben

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.