Gyártói szám

N Egyszeres MOSFET-ek, 34.6 A, 70 V, Fokozási mód, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3FS Vishay TrenchFET SIZF458LDT-T1-UE3

RS raktári szám:: 847-936
Gyártó cikkszáma:: SIZF458LDT-T1-UE3
Gyártó:: Vishay

N Egyszeres MOSFET-ek, 34.6 A, 70 V, Fokozási mód, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3FS Vishay TrenchFET SIZF458LDT-T1-UE3

Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel

További 10 hozzáadása 37% megtakarításához

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 szalag / 1 egység)*

728 Ft

(ÁFA nélkül)

925 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Átmenetileg nincsen készleten

Szállítás 2027. december 13. dátumtól

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Tekercs(ek)	tekercsenként	Megtakarítás
1 - 9	728 Ft	-
10 - 99	458 Ft	37%
100 - 499	311 Ft	57%
500 - 999	251 Ft	65%
1000 +	225 Ft	69%

*irányár

RS raktári szám:: 847-936
Gyártó cikkszáma:: SIZF458LDT-T1-UE3
Gyártó:: Vishay

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	Vishay
	Terméktípus	Egyszeres MOSFET-ek
	Csatorna típusa	N
	Maximális folyamatos nyelőáram Id	34.6A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds	70V
	Sorozat	TrenchFET
	Csomag típusa	PowerPAIR 3 x 3FS
	Rögzítés típusa	Felületre szerelt
	Tüskék száma	8
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds	0.020Ω
	Csatorna mód	Fokozási mód
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs	12V
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs	5.2nC
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	48.1W
	Továbbító feszültség Vf	1.1V
	Maximális működési hőmérséklet	150°C
	Hossz	3.3mm
	Szabványok/jóváhagyások	RoHS3 Compliant
	Magasság	1mm
	Szélesség	3.3mm
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka Vishay
	Terméktípus Egyszeres MOSFET-ek
	Csatorna típusa N
	Maximális folyamatos nyelőáram Id 34.6A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 70V
	Sorozat TrenchFET
	Csomag típusa PowerPAIR 3 x 3FS
	Rögzítés típusa Felületre szerelt
	Tüskék száma 8
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds 0.020Ω
	Csatorna mód Fokozási mód
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 12V
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 5.2nC
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 48.1W
	Továbbító feszültség Vf 1.1V
	Maximális működési hőmérséklet 150°C
	Hossz 3.3mm
	Szabványok/jóváhagyások RoHS3 Compliant
	Magasság 1mm
	Szélesség 3.3mm
	Járműipari szabvány Nem

Datasheet - SIZF458LDT-T1-UE3

Származási ország (Country of Origin):: TW

A Vishay kettős N-csatornás MOSFET-et hatékony energiagazdálkodásra tervezték, elsősorban olyan kapcsolási alkalmazásokban használják, amelyek nagy megbízhatóságot és teljesítményt igényelnek változó feszültségviszonyok mellett.

70 V-os maximális leeresztő-forrás feszültséggel működik a robusztus teljesítmény érdekében

Optimalizálva 50%-os üzemi ciklus konfigurációkhoz, növelve a kapcsolás hatékonyságát

A flip chip technológiát használja, amely kiváló hőmérséklet-kialakítást kínál a jobb hőelvezetés érdekében

100%-ban tesztelt R és UIS a megbízhatóság biztosítása érdekében kritikus alkalmazásokban

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.