N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET, 40 A, 80 V, N, 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SIDR178DP-T1-RE3
- RS raktári szám:
- 851-501
- Gyártó cikkszáma:
- SIDR178DP-T1-RE3
- Gyártó:
- Vishay
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység, 1 darabos szalagon)*
1234 Ft
(ÁFA nélkül)
1567 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. március 05. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Tekercs(ek) | tekercsenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 1 234 Ft |
| 10 - 99 | 806 Ft |
| 100 - 499 | 566 Ft |
| 500 - 999 | 473 Ft |
| 1000 + | 446 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 851-501
- Gyártó cikkszáma:
- SIDR178DP-T1-RE3
- Gyártó:
- Vishay
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Vishay | |
| Terméktípus | Nagy teljesítményű MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 40A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 80V | |
| Csomag típusa | SO-8 | |
| Sorozat | TrenchFET | |
| Rögzítés típusa | Felületre szerelt | |
| Tüskék száma | 8 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 0.0029Ω | |
| Csatorna mód | N | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 105nC | |
| Min. működési hőmérséklet | 55°C | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 375W | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 20V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Hossz | 6.05mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | AEC-Q101 Qualified | |
| Szélesség | 5.25mm | |
| Magasság | 1.04mm | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Vishay | ||
Terméktípus Nagy teljesítményű MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 40A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 80V | ||
Csomag típusa SO-8 | ||
Sorozat TrenchFET | ||
Rögzítés típusa Felületre szerelt | ||
Tüskék száma 8 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 0.0029Ω | ||
Csatorna mód N | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 105nC | ||
Min. működési hőmérséklet 55°C | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 375W | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 20V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Hossz 6.05mm | ||
Szabványok/jóváhagyások AEC-Q101 Qualified | ||
Szélesség 5.25mm | ||
Magasság 1.04mm | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- TW
A Vishay nagy teljesítményű N-csatornás MOSFET-et hatékony teljesítménykapcsoló alkalmazások lehetővé tételére tervezték. Képességei biztosítják a megbízható működést változó feszültség- és áramerősség-tartományokban.
A TrenchFET technológia alacsony bekapcsolt állapotú ellenállást és nagy hatékonyságot biztosít
A felső oldali hűtés javítja a hőátviteli képességeket
Az ólommentes és halogénmentes szerkezet támogatja a környezetvédelmi megfelelőséget
Teljesen tesztelt megbízhatóság 100%-os R és UIS tesztekkel
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 80 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SIR680DP-T1-RE3
- N MOSFET 80 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SiR880BDP-T1-RE3
- N MOSFET 80 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SiR580DP-T1-RE3
- P típus MOSFET 80 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SI7469ADP-T1-RE3
- P típus MOSFET 80 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SiR681DP-T1-RE3
- N MOSFET 100 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SiR876BDP-T1-RE3
- N MOSFET 80 V PowerPAK (8x8L) Vishay N-Channel 80 V SIR122LDP-T1-RE3
- N MOSFET 100 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET Gen IV SiR106ADP-T1-RE3