MOSFET, 1 elem/chip, 1,8 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 OptiMOS™ Egyszeres Si

RS raktári szám:: 110-7754
Gyártó cikkszáma:: BSP372NH6327XTSA1
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 1,8 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 OptiMOS™ Egyszeres Si

Átmenetileg nincsen raktáron, előre megrendelhető és amint raktáron van, szállítjuk

Ár Darab (50 darabos csomagbol)

276 Ft

(ÁFA nélkül)

351 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként	csomagonként*
50 - 50	276 Ft	13 820 Ft
100 - 200	224 Ft	11 200 Ft
250 - 450	210 Ft	10 505 Ft
500 - 1200	196 Ft	9 815 Ft
1250 +	180 Ft	8 985 Ft

RS raktári szám:: 110-7754
Gyártó cikkszáma:: BSP372NH6327XTSA1
Gyártó:: Infineon

BSP372N OptiMOS N-ch MOSFET Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	1,8 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	100 V
Csomag típusa	SOT-223
Sorozat	OptiMOS™
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	270 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	1.8V
Minimális kapu küszöbfeszültség	0.8V
Maximális teljesítménydisszipáció	1,8 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	9,5 nC 10 V esetén
Hossz	6.5mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Szélesség	3.5mm
Tranzisztor anyaga	Si
Elemek száma chipenként	1
Nyitóirányú diódafeszültség	1.1V
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	1.6mm

MOSFET, 1 elem/chip, 1,8 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 OptiMOS™ Egyszeres Si

Infineon OptiMOS™ kis jel MOSFET-ek