N MOSFET, 19 A, 200 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-220 onsemi QFET FQPF19N20C

RS raktári szám:: 145-4534
Gyártó cikkszáma:: FQPF19N20C
Gyártó:: onsemi

N MOSFET, 19 A, 200 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-220 onsemi QFET FQPF19N20C

Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel

További 100 hozzáadása 2480 Ft megtakarításához

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 cső / 50 egység)*

20 630 Ft

(ÁFA nélkül)

26 200 Ft

(ÁFÁ-val)

A készletinformáció jelenleg nem elérhető - Kérjük, látogasson vissza később

Egység	Egységenként	csövenként*	Megtakarítás
50 - 50	412,60 Ft	20 630 Ft	-
100 +	387,80 Ft	19 390 Ft	2480 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 145-4534
Gyártó cikkszáma:: FQPF19N20C
Gyártó:: onsemi

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	onsemi
	Csatorna típusa	N
	Terméktípus	MOSFET
	Maximális folyamatos nyelőáram Id	19A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds	200V
	Sorozat	QFET
	Csomag típusa	TO-220
	Rögzítés típusa	Furatszerelt
	Tüskék száma	3
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds	170mΩ
	Csatorna mód	Növekményes
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs	40.5nC
	Továbbító feszültség Vf	1.5V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	43W
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs	-30V, +30V
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Maximális működési hőmérséklet	150°C
	Hossz	10.16mm
	Szabványok/jóváhagyások	No
	Magasság	9.19mm
	Szélesség	4.7mm
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka onsemi
	Csatorna típusa N
	Terméktípus MOSFET
	Maximális folyamatos nyelőáram Id 19A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 200V
	Sorozat QFET
	Csomag típusa TO-220
	Rögzítés típusa Furatszerelt
	Tüskék száma 3
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds 170mΩ
	Csatorna mód Növekményes
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 40.5nC
	Továbbító feszültség Vf 1.5V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 43W
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs -30V, +30V
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Maximális működési hőmérséklet 150°C
	Hossz 10.16mm
	Szabványok/jóváhagyások No
	Magasság 9.19mm
	Szélesség 4.7mm
	Járműipari szabvány Nem

QFET® N-csatornás MOSFET, 11A - 30A, Fairchild Semiconductor

A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesítmény eléréséhez, amely a tápegységek széles köréhez, a PFC (teljesítménytényező-korrekció), DC-DC átalakítók, a plazmatelépernyők (PDP), a világítás és a mozgásvezérlés révén érhető el.

Alacsonyabb be- és kikapcsolását teszik lehetővé az on-állású (RDS(on))), valamint a rövid kapura történő feltöltéssel (Qg) és a kimeneti kapacitás (Coss) csökkentésével. A Advanced QFET® folyamat technológiával a Fairchild nagyobb érdemeket (FOM) kínál a konkurens síkú MOSFET eszközökhöz képest.

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS

A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.

Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.

N MOSFET, 19 A, 200 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-220 onsemi QFET FQPF19N20C

QFET® N-csatornás MOSFET, 11A - 30A, Fairchild Semiconductor

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!