MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 165-5892
Gyártó cikkszáma:: IRF5210STRLPBF
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si

Ár Darab (800 egy tekercsen)**

534 Ft

(ÁFA nélkül)

678 Ft

(ÁFÁ-val)

3430 Raktáron van 4 munkanapon belüli szállításra.*

*A szállítási határidők a rendelt mennyiség és a szállítási cím függvényében változhatnak.

INGYENES házhozszállítás 15 000 Ft felett

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Egység	Egységenként	orsónként**
800 +	534 Ft	427 040 Ft

**ár

RS raktári szám:: 165-5892
Gyártó cikkszáma:: IRF5210STRLPBF
Gyártó:: Infineon

IRF5210SPbF, IRF5210LPbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	P
Maximális folyamatos nyelőáram	38 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	100 V
Sorozat	HEXFET
Csomag típusa	D2PAK (TO-263)
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	60 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	170 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Tranzisztor anyaga	Si
Hossz	10.67mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	150 nC 10 V esetén
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Elemek száma chipenként	1
Szélesség	9.65mm
Magasság	4.83mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si

INGYENES házhozszállítás 15 000 Ft felett

P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon