MOSFET, 1 elem/chip, 43 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 FP OptiMOS™ 3 Egyszeres Si

RS raktári szám:: 165-8110
Gyártó cikkszáma:: IPA093N06N3GXKSA1
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 43 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 FP OptiMOS™ 3 Egyszeres Si

230 Raktáron van 4 munkanapon belüli szállításra.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Ár Darab (egy rudon 50)

475 Ft

(ÁFA nélkül)

603 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként	csövenként*
50 - 50	475 Ft	23 750 Ft
100 - 200	366 Ft	18 290 Ft
250 - 450	352 Ft	17 580 Ft
500 - 1200	337 Ft	16 865 Ft
1250 +	295 Ft	14 725 Ft

RS raktári szám:: 165-8110
Gyártó cikkszáma:: IPA093N06N3GXKSA1
Gyártó:: Infineon

IPA093N06N3 G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	43 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	60 V
Sorozat	OptiMOS™ 3
Csomag típusa	TO-220 FP
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	9,3 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	33 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Szélesség	4.85mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	36 nC 10 V esetén
Hossz	10.65mm
Tranzisztor anyaga	Si
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Elemek száma chipenként	1
Nyitóirányú diódafeszültség	1.2V
Magasság	16.15mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

MOSFET, 1 elem/chip, 43 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 FP OptiMOS™ 3 Egyszeres Si

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között